Monolityczny półmostek GaN o dużej efektywności

Firma EPC przedstawiła nowy układ w swojej ofercie, jakim jest gotowy, monolityczny półmostek wykonany w technologii GaN. Oznaczony został symbolem EPC2101 i cechuje go wysoka sprawność. Wynosić ma ona 87% przy pracy z prądem 14 A i 82% z prądem 30 A (częstotliwość przełączania 500 kHz). Układ pracować może z napięciem 60 V. W strukturze tej zawarto dwa tranzystory polowe (FET) o rezystancji Rds(ON) wynoszącej 8.4 mΩ i 2 mΩ, odpowiednio dla tranzystora górnego i dolnego. Elementy te zostały odpowiednio dobrane by zoptymalizować ich pracę w układach konwersji DC/DC (obniżających napięcie, przy dużym stosunku Vin/Vout) i otrzymać jak najwyższą efektywność. Tranzystory te wykonano w technologii (e)GaN, co dodatkowo poprawia wydajność pracy całego układu. Dzięki zintegrowaniu ich w jednym komponencie, projektanci nie muszą już się martwić o odpowiedni dobór parametrów ich pracy, zestrojenie, itp. Co więcej, taka budowa pozwoli zaoszczędzić miejsce na płytce PCB. Całość zamknięto w obudowie o wymiarach 6 na 2.3 mm. Dostępny ma być w cenie od 6.92 USD przy zamówieniach hurtowych. W ofercie pojawia się również odpowiednia płytka deweloperska w cenie około 137 USD. © EPC