IGBT w formacie TO-247 obsługujące 120 A

Firma Infineon wprowadza na rynek nowe tranzystory IGBT, które cechuje niezwykła wydajność. Mowa tu o komponentach umieszczonych w obudowie TO-247PLUS, z odpowiednim padem do odprowadzania ciepła. Jest on powiększony o 26% w porównaniu do klasycznej TO-247. Gabarytowo jednak obudowa jest taka sama. O 20% zmniejszono też rezystancję termiczną. Wszystko to pozwoliło na osiąganie wydajności prądowej sięgającej 120 A. Cała konstrukcja została dodatkowo tak przemyślana, by maksymalnie wydłużyć żywotność i niezawodność komponentów przy pracy z dużymi prądami. Odpowiedni montaż i płytka zapewni lepsze odprowadzanie ciepła i wytrzymałość, przy współpracy z TO-247PLUS. Zastosowaniem mają być aplikacje przemysłowe, takie jak UPS, sterowniki maszyn, paneli słonecznych, a także aplikacje motoryzacyjne. Dzięki dużej wydajności pojedynczego komponentu możliwe jest też zredukowanie ich ilości przy obsłudze większych mocy. Pociąga to za sobą z kolei mniejsze wymagania co do systemu chłodzenia, mniejszą aplikację i tańszą w produkcji.