Niskonapięciowe DDR o regulowanym poborze energii

Firma Alliance Memory przedstawiła nowe pamięci DDR-SDRAM, należące do serii AS4Cxx. Stworzono je z myślą o aplikacjach typu „low-power”, czyli niskim zużyciu energii. Nowe pamięci cechuje m.in. niskie napięcie pracy, które wynosi od 1.7 do 1.95 V. Pamięci te cechuje także kilka trybów pracy, dzięki którym można regulować ilość pobieranej energii, tym samym odpowiednio ją zmniejszając, kiedy aplikacja tego wymaga. Tryby te nazwano:

• Auto temperature compensated self-refresh (ATCSR) (automatycznego samoodświeżanie z kompensacją temperaturową),
• Partial array self-refresh (PASR) (częściowe samoodświeżanie matryc),
• Deep power down (DPD) (głębokie uśpienie).

Mogą być więc z powodzeniem użyte w aplikacjach mobilnych. Pamięci pracować mogą z częstotliwością od 166 do 200 MHz w temperaturze od nawet -40 do 85 stopni Celsjusza. Mogą występować w konfiguracjach:

• 16M x 16bit, 16M x 32bit,
• 32M x 16bit, 32M x 32bit,
• 64M x 16bit, 64M x 32bit.

Producent podaje, że pracują w trybie w pełni synchronicznym, posiadają funkcje „auto-refresh” i „self-refresh” i programowalną długość zapisu i odczytu trybu „burst” (2, 4, 8, 16). Znaleźć je będzie można w obudowach FBGA: 8 na 9 mm, 60 kulek oraz 8 na 13 mm, 90 kulek. Zgodne są z wieloma innym pamięciami, więc mogą stanowić dla nich zamienniki.