Podwójny MOSFET – mniejsza rezystancja, wyższa efektywność

Firma Toshiba Electronics Europe przedstawiła SSM6N58NU. Jest to podwójny tranzystor MOSFET o kanałach typu N. Cechuje go przede wszystkim niska rezystancja Rds(on) na poziomie 67 mΩ przy napięciu Vgs wynoszące 4,5 V. Na uwagę zasługuje również krótki czas włączenia (ton) 26 ns i wyłaczenia (toff) 9 ns, a także niska wartość ładunku Qg wynoszącego 1,8 nC, potrzebnego do załączenia tranzystora, co jak podaje producent wpływa na mniejsze straty, a tym samym mniejsze grzanie się układu. Pojemność to około 129 pF. Przyczynia się to do możliwości pracy z wysokimi częstotliwościami. Tranzystor ten cechuje wydajność rzędu 4 A (szczytowy do 10 A). Zapakowano go w obudowę UDFN26 o wymiarach 2 na 2 mm, która pozwolić ma na rozproszenie mocy 2 W. Pozwolić ma to także na wytrzymanie temperatury do 150 stopni Celsjusza. Zastosowaniem mają być głównie systemy zasilania w urządzeniach mobilnych, wliczając w to systemy ładowania przewodowego, jak i bezprzewodowego.