Wydajny MOSFET ze wspólnym drenem do systemów akumulatorowych

Firma Alpha and Omega Semiconductor zaprezentowała nowe tranzystory MOSFET, podwójne, ze wspólnym drenem. W ofercie znajdziemy takie komponenty jak: AON6810, AON6812 i AON4810. Są to komponenty z kanałem typu N, które mają znaleźć zastosowanie w przy systemach zasilania (w akumulatorach) w nowoczesnych ultrabookach, tabletach, itd. Oparto je na technologii AlphaMOS, która łączy w sobie niską wartość Rds(on) i ochronę ESD do 4 kV. AON6812 cechuje się rezystancją RSS (source-to-source) 8 mΩ. Podobnie jest z AON6810. Rezystancja RSS AON4810 wynosi 8.8 mΩ. Podane wartości dotyczą wysterowania napięciem 10 V. AON6810 dodatkowo integruje w sobie czujnik temperatury (wykorzystujący diodę), za pomocą którego układ sterujący będzie w stanie poznać temperaturę opisywanego elementu wykonawczego, podejmując odpowiednie kroki w razie przegrzania (bądź poinformować o tym użytkownika). AON6810 i AON6812 znajdziemy w obudowie DFN o wymiarach 5 na 6 mm, usprawnioną pod względem termicznym (lepsze odprowadzanie ciepła). AON4810 zamknięto w obudowie Micro-DFN, co stanowić ma bezpieczniejszą alternatywę dla typowych obudów w tym formacie (CSP). Komponenty te dostać będziemy mogli w cenie odpowiednio: 0.78, 0.82 i 0.52 USD, przy zamówieniu 1000 sztuk.